氮化鋁陶瓷基板有哪些優(yōu)點(diǎn)

中國(guó)基材的發(fā)展歷史悠久，基材的種類(lèi)在不斷增加，傳統(tǒng)的基材包括纖維基材，F(xiàn)R-4基材，鋁基材，銅基材等。隨著工業(yè)需求的提高和完善，散熱和熱膨脹系數(shù)的匹配受到限制。當(dāng)傳統(tǒng)基板的性能難以滿(mǎn)足新的需求時(shí)，人們不得不開(kāi)始尋找替代方案。各種需求自然會(huì)比較各種基材，并根據(jù)最佳基材進(jìn)行購(gòu)買(mǎi)。鈞杰陶瓷作為一個(gè)專(zhuān)業(yè)加工的陶瓷廠用全套的加工設(shè)備可以，對(duì)陶瓷材料進(jìn)行高精度的加工，并且鈞杰陶瓷還擁有多臺(tái)燒結(jié)爐，鈞杰陶瓷對(duì)于氮化鋁陶瓷的燒結(jié)積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，可以解決燒結(jié)氮化鋁陶瓷的過(guò)程出現(xiàn)的某些問(wèn)題，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量。鈞杰陶瓷加工：134 128 56568（微信）

作為最佳選擇，使用LAM技術(shù)(激光快速激活金屬化技術(shù))的氮化鋁陶瓷基板可以使金屬層與陶瓷之間的結(jié)合更緊密，并且層之間的結(jié)合強(qiáng)度也更高。金屬和陶瓷的高度很高，最大可以達(dá)到45.Pa(超過(guò)1mm的厚陶瓷板自身電阻)。氮化鋁基板具有更強(qiáng)，更低電阻的金屬膜層，導(dǎo)電層的厚度可定制在1μm~1mm之內(nèi)。

與傳統(tǒng)的陶瓷基板相比，鋁基基板的導(dǎo)熱率為12W/mk。盡管銅本身的熱導(dǎo)率達(dá)到383.8W/mK，但絕緣層的熱導(dǎo)率僅為1.0W/m.K，效果更好。1.8W/m.K氮化鋁陶瓷基板具有出色的導(dǎo)熱性，數(shù)據(jù)范圍為170至230W/m.k。

以熱膨脹系數(shù)(CTE)為例。在LED照明領(lǐng)域，主基板的CTE的平均導(dǎo)熱系數(shù)為1417ppm/C，而硅芯片的CTE的平均導(dǎo)熱系數(shù)為6ppm/C。在溫度升高的情況下，PCB將比芯片封裝更劇烈地膨脹。導(dǎo)致拆焊問(wèn)題。在此問(wèn)題下，氮化鋁陶瓷基板的CTE為4-5ppm/C，更接近芯片的膨脹率，可以有效避免類(lèi)似情況發(fā)生。

另外，氮化鋁陶瓷基板不含有機(jī)成分，銅層不含氧化物層，使用壽命長(zhǎng)，可在還原性氣氛中長(zhǎng)期使用，適用于航空航天設(shè)備。

氮化鋁陶瓷基板在市場(chǎng)上被廣泛使用。由于它們的低高頻損耗和低介電常數(shù)，它們可用于高頻電路設(shè)計(jì)和安裝以及高密度安裝。線/間距(L/S)分辨率可達(dá)到20m在當(dāng)前輕，薄，緊湊的技術(shù)趨勢(shì)下，它非常適合于制造短、小、輕、薄的設(shè)備。

陶瓷基板的生產(chǎn)市場(chǎng)主要在國(guó)外。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)氮化鋁陶瓷基板的國(guó)產(chǎn)化，具有自主研究的優(yōu)勢(shì)，滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)氮化鋁基板不斷增長(zhǎng)的需求，從而有更好的基礎(chǔ)。研究和技術(shù)發(fā)展，結(jié)果，國(guó)內(nèi)的PCB企業(yè)關(guān)注在行業(yè)中占據(jù)一線位置，氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)十分突出。

在電子工業(yè)中，沒(méi)有貴不貴，只有適不適用，只有最合適的才是對(duì)的。如何創(chuàng)造物有所值，物超所值?它是航空航天，通信和信息，照明設(shè)備等領(lǐng)域中工業(yè)的快速發(fā)展。這導(dǎo)致了諸如氮化鋁陶瓷基板等產(chǎn)品的出現(xiàn)。這些具有突出優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品將不可避免地成為確認(rèn)時(shí)代選擇的新趨勢(shì)。作為一種較好的選擇，氮化鋁襯底是大勢(shì)所趨。